RSTN30N01MPS

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN30N01MPS 是一款超低导通电阻、超大电流N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6-8封装，额定漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 180A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 400A。导通电阻典型值仅为 1.1mΩ（VGS=10V, ID=25A）和1.5mΩ（VGS=4.5V），支持低压大电流应用。器件经过100% UIS和Rg测试，具有低Qg和低RDS(on)特性，适合高速开关，符合RoHS且满足MSL1等级。DFN5x6封装具有极佳的热传导能力和低寄生参数，适用于高功率密度设计。

■ 关键电气参数
RSTN30N01MPS 的栅极阈值电压典型值约1.6V（范围1.3~2.5V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约5165pF（VDS=15V），输出电容约3800pF，反向传输电容约260pF。栅极电荷 Qg 典型值约76nC（VGS=10V, ID=25A）和37nC（VGS=4.5V），其中栅源电荷约12nC，栅漏电荷约11nC。开关时间（VDD=15V, ID=1A）显示开通延迟约20.6ns，上升约11.6ns，关断延迟约53.5ns，下降约81.7ns。体二极管反向恢复时间约74ns，恢复电荷约95.5nC，适合中高频硬开关应用。

■ 热管理与可靠性设计
RSTN30N01MPS 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 86.8W，TC=100℃ 时降额至34.7W；结到壳热阻 RθJC = 1.44℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 65℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为24℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 125A，雪崩能量 EAS = 782mJ（L=0.1mH），具有较强的瞬态能量吸收能力。建议在PCB布局中为大电流路径提供宽铜箔和大量过孔，以优化散热。

■ 典型应用场景
RSTN30N01MPS 凭借30V耐压和180A电流能力，广泛适用于：

• OR-ing：冗余电源系统中的理想二极管。

• 服务器同步整流：高效率电源转换。

• 电池充电器：大电流充电管理。

• 电源电路：各种低压大电流开关应用。

瑞斯特 RSTN30N01MPS 为低压超大规模电流系统提供了极低的导通损耗和高速开关性能。