RSTN30D14A1
RSTN30D14A1 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN30D14A1 是一款低压大电流P沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6C-8_EP2封装，额定漏源电压 VDS = -30V，连续漏极电流 ID = -45A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -135A。导通电阻典型值为 12mΩ（VGS=-10V）和22mΩ（VGS=-4.5V），在P沟道中具有较低导通损耗。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN5x6C封装具有优异的散热能力和低寄生参数，适合大电流负载开关应用。
■ 关键电气参数
RSTN30D14A1 的栅极阈值电压典型值约 -1.6V（范围 -1.2~-2.0V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约 1200pF（VDS=-15V），输出电容约150pF，反向传输电容约60pF。栅极电荷 Qg 典型值约14nC（VGS=-10V, ID=-45A），开关速度快。开关时间（VDD=-15V, ID=-1A）显示开通延迟约10ns，上升约12ns，关断延迟约20ns，下降约15ns。体二极管反向恢复时间约20ns，恢复电荷约10nC，适合中高频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN30D14A1 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 25W，TC=100℃ 时降额至10W；结到壳热阻 RθJC = 5℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 95℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = -23A，雪崩能量 EAS = 26mJ（L=0.1mH）。建议在PCB布局中为DFN5x6封装提供足够铜箔和过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN30D14A1 凭借-30V耐压和45A电流能力，广泛适用于：
笔记本电源管理：大电流负载开关、电源路径切换。
便携设备电池保护：大容量锂电的充放电控制。
DC/DC转换器：低压大电流降压转换器的主开关。
电池供电系统：多节并联锂电的充放电管理。
瑞斯特 RSTN30D14A1 为低压大电流P沟道应用提供了高效率、低导通电阻的解决方案。
