RSTN30C48

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN30C48 是一款低压互补型功率MOSFET，集成N沟道（含集成肖特基二极管）和P沟道，采用紧凑的TSMT8封装。N沟道额定 VDS = 30V，连续电流 ID = 7A（TA=25℃）；P沟道额定 VDS = -30V，连续电流 ID = -5.5A（TA=25℃）。N沟道导通电阻典型值为 22mΩ（VGS=10V）和35mΩ（VGS=4.5V）；P沟道为 37mΩ（VGS=-10V）和55mΩ（VGS=-4.5V）。N沟道集成肖特基二极管，可有效降低体二极管反向恢复损耗。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。TSMT8封装具有超小占板面积，适合便携式设备。

■ 关键电气参数
N沟道栅极阈值电压典型值约1.6V（范围1.2~2.2V），P沟道约-1.6V，兼容3.3V驱动。动态特性方面，N沟道输入电容典型值约 800pF（VDS=15V），输出电容约100pF，反向传输电容约30pF。栅极电荷 Qg N沟道约5.6nC（VGS=4.5V），P沟道约8nC，开关速度极快。开关时间N沟道开通延迟约11ns，上升约9ns，关断延迟约23ns，下降约18ns。体二极管反向恢复时间约20ns，恢复电荷约9nC，集成肖特基进一步减少损耗，适合高频开关应用。

■ 热管理与可靠性设计
RSTN30C48 在 TA=25℃ 时单路最大耗散功率为 2W（双路合计），TA=70℃ 时降额至1.3W；结到环境热阻（稳态）RθJA = 90℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为60℃/W。雪崩耐受能力为N沟道 IAS = 13A（EAS=8mJ），P沟道 IAS = -16A（EAS=13mJ）（L=0.1mH）。建议在PCB布局中为TSMT8封装提供足够铜箔，确保双通道散热。

■ 典型应用场景
RSTN30C48 凭借低压互补特性和集成肖特基，广泛适用于：

• 同步整流：低电压DC/DC转换器的同步整流，减少反向恢复损耗。

• 电机控制：风扇电机、小型BLDC驱动中的半桥。

• 负载开关：便携设备中的电源路径切换。

• 电池保护：单节锂电充放电控制。

瑞斯特 RSTN30C48 为低压系统提供了高集成度、低损耗的互补开关方案，特别适合空间受限的应用。