RSTN3095A1MP

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN3095A1MP 是一款超低导通电阻、超大电流N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6A-8_EP封装，额定漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 95A（TC=25℃，邦定线限流53A），脉冲电流 IDM = 285A。导通电阻典型值为 3.5mΩ（VGS=10V）和5.3mΩ（VGS=4.5V），具有极低导通损耗。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN5x6A封装具有优异的散热能力和低寄生电感，适合桌面计算机和DC/DC转换器。

■ 关键电气参数
RSTN3095A1MP 的栅极阈值电压典型值约1.6V（范围1.3~2.5V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约 2000pF（VDS=15V），输出电容约300pF，反向传输电容约150pF。栅极电荷 Qg 典型值约25nC（VGS=10V），开关速度快。开关时间（VDD=15V, ID=1A）显示开通延迟约10ns，上升约12ns，关断延迟约20ns，下降约15ns。体二极管反向恢复时间约20ns，恢复电荷约8nC，适合高频硬开关应用。

■ 热管理与可靠性设计
RSTN3095A1MP 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 52.1W，TC=100℃ 时降额至20.8W；结到壳热阻 RθJC = 2.4℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 55℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为23℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 55A，雪崩能量 EAS = 151mJ（L=0.1mH），具有较强的瞬态能量吸收能力。建议在PCB布局中为大电流路径提供宽铜箔和大量过孔，以确保散热。

■ 典型应用场景
RSTN3095A1MP 凭借30V耐压和95A电流能力，广泛适用于：

• 桌面计算机电源管理：CPU/GPU核心供电（VRM）的功率级。

• DC/DC转换器：低压大电流降压转换器的主开关。

• 负载开关：服务器、数据中心中的大电流热插拔开关。

• 电池保护：大容量锂电的充放电控制。

瑞斯特 RSTN3095A1MP 为低压大电流系统提供了极低导通损耗的解决方案。