RSTN3065A2
RSTN3065A2 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN3065A2 是一款集成N沟道和P沟道的互补型功率MOSFET，采用DFN3.3x3.3G-8_EP2封装。N沟道额定 VDS = 30V，连续电流 ID = 42A（TC=25℃）；P沟道额定 VDS = -30V，连续电流 ID = -44A（TC=25℃）。N沟道导通电阻典型值为 7mΩ（VGS=10V）和10mΩ（VGS=4.5V）；P沟道为 17mΩ（VGS=-10V）和20mΩ（VGS=-4.5V）。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS且满足MSL1等级。DFN3.3x3.3G封装提供良好的散热和低寄生参数，适合同步整流、电机控制和高速开关。
■ 关键电气参数
N沟道栅极阈值电压典型值约1.8V（范围1.3~2.3V），P沟道约-1.8V（范围-1.3~-2.3V），兼容3.3V驱动。动态特性方面，N沟道输入电容典型值约 800pF（VDS=15V），输出电容约100pF，反向传输电容约50pF；P沟道输入电容约1580pF，输出电容约215pF，反向传输电容约150pF。栅极电荷N沟道约 15nC（VGS=10V），P沟道约26.8nC（VGS=-10V）。开关时间N沟道开通延迟约10ns，上升约10ns，关断延迟约98ns，下降约85ns；P沟道类似。体二极管反向恢复时间N沟道约18ns，恢复电荷约7nC，适合中高频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN3065A2 在 TC=25℃ 时N沟道最大耗散功率为 42W，P沟道为54W；TC=100℃ 时分别降额至17W和21W；结到壳热阻N沟道为 3℃/W，P沟道为2.3℃/W；结到环境热阻（稳态）RθJA = 80℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为N沟道 IAS = 30A（EAS=45mJ），P沟道 IAS = 48A（EAS=116mJ）（L=0.1mH）。建议在PCB布局中为DFN封装提供足够铜箔和过孔，确保双路同时工作时的热管理。
■ 典型应用场景
RSTN3065A2 凭借互补特性和大电流能力，广泛适用于：
同步整流：低压DC/DC转换器的同步整流。
电机控制：BLDC电机驱动的半桥。
大电流高速开关：服务器电源、通信设备中的功率开关。
负载开关：工业控制、汽车电子中的电源路径管理。
瑞斯特 RSTN3065A2 为高性能系统提供了高集成度、低损耗的互补开关方案。
