RSTN3044A1
RSTN3044A1 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN3044A1 是一款双N沟道增强型功率MOSFET，内部集成两个独立通道，采用DFN封装（具体尺寸参考手册）。通道1额定 VDS = 30V，连续电流 ID = 30A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 90A；通道2额定 VDS = 30V，连续电流 ID = 60A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 180A。通道1导通电阻典型值为 4mΩ（VGS=10V, ID=11A）和6mΩ（VGS=4.5V, ID=6.5A）；通道2为 1.3mΩ（VGS=10V, ID=20A）和1.5mΩ（VGS=4.5V, ID=15A）。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN封装具有优异的散热能力和低寄生参数，适合桌面计算机和DC/DC转换器应用。
■ 关键电气参数
通道1的栅极阈值电压典型值约1.9V（范围1.2~2.7V），通道2约1.6V（范围1.1~2.2V），兼容3.3V驱动。动态特性方面，通道1输入电容典型值约1320pF（VDS=15V），输出电容约460pF，反向传输电容约45pF；通道2输入电容约4132pF，输出电容约910pF，反向传输电容约125pF。栅极电荷通道1约 11nC（VGS=10V, ID=11A）和5.5nC（VGS=4.5V）；通道2约28nC（VGS=10V, ID=20A）和13nC（VGS=4.5V）。开关时间通道1开通延迟约10.5ns，上升约9.5ns，关断延迟约21ns，下降约18ns；通道2相应时间略长。体二极管反向恢复时间通道1约22ns，恢复电荷约9nC；通道2约40ns，恢复电荷约31nC，适合高频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN3044A1 在 TC=25℃ 时通道1最大耗散功率为 46W，通道2为69W；TC=100℃ 时分别降额至19W和28W；结到壳热阻通道1为 2.7℃/W，通道2为1.8℃/W；结到环境热阻（稳态）通道1为72℃/W，通道2为66℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为通道1单脉冲雪崩电流 IAS = 25A（EAS=31mJ），通道2 IAS = 40A（EAS=80mJ）（L=0.1mH）。建议在PCB布局中为DFN封装提供足够铜箔和过孔，确保双通道同时工作时的热管理。
■ 典型应用场景
RSTN3044A1 凭借双N沟道集成和大电流能力，广泛适用于：
桌面计算机电源管理：多相降压转换器的功率级。
DC/DC转换器：低压大电流降压转换器。
负载开关：服务器、通信设备中的大电流切换。
电机驱动：大功率BLDC电机驱动。
瑞斯特 RSTN3044A1 为高密度系统提供了双路独立的高性能N沟道开关方案。
