RSTN25P06A2
RSTN25P06A2 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN25P06A2 是一款中压P沟道增强型功率MOSFET，采用DFN3.3x3.3-8_EP封装，额定漏源电压 VDS = -60V，连续漏极电流 ID = -25A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -75A。导通电阻典型值为 50mΩ（VGS=-10V, ID=-9A）和60mΩ（VGS=-4.5V），在60V耐压P沟道中具有较低导通损耗。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS且满足MSL1等级。DFN3.3x3.3封装提供良好的散热和低寄生参数，适合中高压电源管理应用。
■ 关键电气参数
RSTN25P06A2 的栅极阈值电压典型值约 -2V（范围 -1~-3V），兼容5V和3.3V驱动。动态特性方面，输入电容典型值约2545pF（VDS=-50V），输出电容约125pF，反向传输电容约75pF。栅极电荷 Qg 典型值约59nC（VGS=-10V, ID=-9A）和28nC（VGS=-4.5V），其中栅源电荷约7.2nC，栅漏电荷约13nC。开关时间（VDD=-30V, ID=-1A）显示开通延迟约15ns，上升约8ns，关断延迟约86ns，下降约25ns。体二极管反向恢复时间约41ns，恢复电荷约78nC，适合中等频率硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN25P06A2 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 83.3W，TC=100℃ 时降额至33.3W；结到壳热阻 RθJC = 1.5℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 60℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = -20A，雪崩能量 EAS = 100mJ（L=0.5mH），能有效吸收感性负载瞬态能量。建议在PCB布局中为DFN封装提供足够铜箔和过孔，以优化散热。
■ 典型应用场景
RSTN25P06A2 凭借60V耐压和25A电流能力，广泛适用于：
开关电源（SMPS）充电器适配器同步整流：高压侧同步整流。
DC-DC转换器：中压降压/升压转换器中的功率开关。
负载开关：工业控制系统中的电源切换。
电池保护：多节锂电池保护电路中的放电控制。
瑞斯特 RSTN25P06A2 为中高压P沟道应用提供了可靠的开关选择。
