RSTN25C02A2
RSTN25C02A2 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN25C02A2 是一款低压互补型功率MOSFET，集成N沟道和P沟道，采用DFN3.3x3.3G-8_EP2封装。N沟道额定 VDS = 20V，连续电流 ID = 25A（TA=25℃）；P沟道额定 VDS = -20V，连续电流 ID = -25A（TA=25℃）。N沟道导通电阻典型值为 11mΩ（VGS=4.5V, ID=25A）和15mΩ（VGS=2.5V）；P沟道为 18mΩ（VGS=-4.5V）和25mΩ（VGS=-2.5V）。器件经过可靠性测试，符合RoHS要求。DFN3.3x3.3封装提供良好的散热和低寄生参数，适合大电流低压应用。
■ 关键电气参数
RSTN25C02A2 的N沟道栅极阈值电压典型值约0.7V（范围0.4~1.0V），P沟道约-0.7V。动态参数方面，N沟道输入电容典型值约 700pF（VDS=10V），输出电容约100pF；P沟道电容值相近。栅极电荷N沟道约 6nC（VGS=4.5V），P沟道约8nC。开关时间N沟道开通延迟约5ns，上升约10ns，关断延迟约20ns，下降约8ns；P沟道略慢。体二极管反向恢复时间约10ns，恢复电荷约3nC，适合高频开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN25C02A2 在 TA=25℃ 时单路最大耗散功率为 13.9W（双路合计），TA=70℃ 时降额至5.6W；结到环境热阻（瞬态t≤10s）为85℃/W，稳态为135℃/W。雪崩耐受能力为N沟道 IAS = 17A（EAS=72mJ），P沟道 IAS = -15A（EAS=59mJ）（L=0.5mH）。建议在PCB布局中为DFN封装提供足够铜箔和过孔，确保双路同时工作时的散热。
■ 典型应用场景
RSTN25C02A2 凭借互补特性和大电流能力，广泛适用于：
笔记本电源管理：CPU/GPU核心供电、负载切换。
便携设备：智能手机、平板电脑中的电源路径管理。
电池供电系统：单节/双节锂电保护电路中的充放电控制。
半桥驱动：低压电机驱动、D类功放输出级。
瑞斯特 RSTN25C02A2 为低压系统提供了高集成度、低损耗的互补开关方案。
