RSTN20S08A2
RSTN20S08A2 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN20S08A2 是一款低压N沟道增强型功率MOSFET，采用TDFN3x3-8_EP2封装，额定漏源电压 VDS = 20V，连续漏极电流 ID = 12A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 36A。导通电阻典型值为 8mΩ（VGS=4.5V, ID=4A）和10mΩ（VGS=2.5V），支持低压驱动。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。TDFN3x3封装具有较小的占板面积和良好散热，适合便携设备电源管理。
■ 关键电气参数
RSTN20S08A2 的栅极阈值电压典型值约0.75V（范围0.4~1.0V），兼容1.8V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约900pF（VDS=10V），输出电容约196pF，反向传输电容约89pF。栅极电荷 Qg 典型值约12nC（VGS=10V, ID=4A）和6.2nC（VGS=4.5V），开关速度快。开关时间（VDD=10V, ID=1A）显示开通延迟约4ns，上升约13ns，关断延迟约22ns，下降约5ns。体二极管反向恢复时间约4.8ns，恢复电荷约3.2nC，适合高频开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN20S08A2 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 18W，TC=100℃ 时降额至7W；结到壳热阻 RθJC = 7℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 80℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为43℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 9A，雪崩能量 EAS = 4.1mJ（L=0.1mH）。建议在PCB布局中为TDFN封装提供足够铜箔和过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN20S08A2 凭借20V耐压和12A电流能力，广泛适用于：
笔记本电源管理：负载开关、电源路径切换。
便携设备电池保护：单节锂电充放电控制。
低压DC/DC转换器：小功率降压转换器的主开关。
电池供电系统：单节锂电充放电管理。
瑞斯特 RSTN20S08A2 为低压系统提供了高效、紧凑的N沟道开关方案。
