RSTN20P10A5
RSTN20P10A5 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN20P10A5 是一款低压P沟道增强型功率MOSFET，采用紧凑的DFN2x2-6封装，额定漏源电压 VDS = -20V，连续漏极电流 ID = -12A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = -36A。导通电阻典型值为 10mΩ（VGS=-4.5V, ID=-9.9A）和16mΩ（VGS=-2.5V），支持低压驱动。器件经过可靠性测试，符合RoHS要求。DFN2x2封装具有极小的占板面积和低寄生电感，适合便携设备和高密度电路板。
■ 关键电气参数
RSTN20P10A5 的栅极阈值电压典型值约 -0.7V（范围 -0.5~-1.0V），兼容1.8V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约1008pF（VDS=-10V），输出电容约494pF，反向传输电容约257pF。栅极电荷 Qg 典型值约20nC（VGS=-4.5V, ID=-9.9A），其中栅源电荷约0.8nC，栅漏电荷约7.6nC。开关时间（VDD=-10V, ID=-1A）显示开通延迟约8ns，上升约13ns，关断延迟约25ns，下降约170ns。体二极管反向恢复时间约34ns，恢复电荷约15nC，适合中低频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN20P10A5 在 TA=25℃ 时最大耗散功率为 2.5W，TA=70℃ 时降额至1.6W；结到环境热阻（稳态）RθJA = 80℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为50℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = -18A，雪崩能量 EAS = 16mJ（L=0.1mH）。建议在PCB布局中为DFN封装提供足够铜箔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN20P10A5 凭借-20V耐压和12A电流能力，广泛适用于：
笔记本电源管理：负载开关、电源路径切换。
便携设备：智能手机、平板电脑中的电池保护。
低压DC/DC转换器：小功率降压转换器的主开关。
逻辑电平转换：低电压接口驱动。
瑞斯特 RSTN20P10A5 为低压小尺寸系统提供了高效、紧凑的P沟道开关方案。
