RSTN20P075A2
RSTN20P075A2 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN20P075A2 是一款低压大电流P沟道增强型功率MOSFET，采用DFN3.3x3.3A-8_EP封装，额定漏源电压 VDS = -20V，连续漏极电流 ID = -55A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -165A。导通电阻典型值为 7.5mΩ（VGS=-4.5V, ID=-11A）和10.5mΩ（VGS=-2.5V），支持低压驱动。器件经过可靠性测试，符合RoHS要求。DFN3.3x3.3封装提供良好的散热和低寄生参数，适合便携设备电源管理。
■ 关键电气参数
RSTN20P075A2 的栅极阈值电压典型值约 -0.7V（范围 -0.5~-1.0V），兼容1.8V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约2620pF（VDS=-10V），输出电容约320pF，反向传输电容约290pF。栅极电荷 Qg 典型值约25nC（VGS=-4.5V, ID=-11A），其中栅源电荷约1.6nC，栅漏电荷约11nC。开关时间（VDD=-10V, ID=-1A）显示开通延迟约9ns，上升约13ns，关断延迟约26ns，下降约167ns。体二极管反向恢复时间约63ns，恢复电荷约54nC，适合中低频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN20P075A2 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 62.5W（推测，根据同系列），TC=100℃ 时降额至25W；结到壳热阻 RθJC = 4℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 80℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为40℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = -20A，雪崩能量 EAS = 100mJ（L=0.5mH）。建议在PCB布局中为DFN封装提供足够铜箔和过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN20P075A2 凭借-20V耐压和55A电流能力，广泛适用于：
便携设备电池保护：大容量锂电的充放电控制。
负载开关：中功率负载切换。
DC/DC转换器：低压大电流降压转换器的主开关。
电池供电系统：多节并联锂电的充放电管理。
瑞斯特 RSTN20P075A2 为低压中等电流系统提供了可靠的P沟道开关方案。
