RSTN20N03A2
RSTN20N03A2 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN20N03A2 是一款低压N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN3.3x3.3-8_EP封装，额定漏源电压 VDS = 20V，连续漏极电流 ID = 23.4A（TC=25℃，封装限流50A），脉冲电流 IDM = 70.2A。导通电阻典型值为 2.7mΩ（VGS=4.5V, ID=13.5A）和3.5mΩ（VGS=2.5V, ID=10A），支持低压驱动。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN3.3x3.3封装具有良好散热和低寄生参数，适合便携设备电源管理。
■ 关键电气参数
RSTN20N03A2 的栅极阈值电压典型值约0.7V（范围0.5~1.0V），兼容1.8V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约3775pF（VDS=10V），输出电容约730pF，反向传输电容约525pF。栅极电荷 Qg 典型值约35nC（VGS=4.5V, ID=13.5A），其中栅源电荷约4.7nC，栅漏电荷约11.5nC。开关时间（VDD=10V, ID=1A）显示开通延迟约14ns，上升约14.5ns，关断延迟约130ns，下降约70ns。体二极管反向恢复时间约18ns，恢复电荷约6.2nC，适合高频开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN20N03A2 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 35W，TC=100℃ 时降额至14W；结到壳热阻 RθJC = 3.5℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 78℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 45A，雪崩能量 EAS = 100mJ（L=0.1mH）。建议在PCB布局中为DFN封装提供足够铜箔和过孔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN20N03A2 凭借20V耐压和23.4A电流能力，广泛适用于：
笔记本电源管理：CPU/GPU核心供电、负载开关。
便携设备：智能手机、平板电脑中的电池保护。
DC/DC转换器：低压降压转换器的主开关。
电池供电系统：单节锂电充放电管理。
瑞斯特 RSTN20N03A2 为低压系统提供了高效、紧凑的开关解决方案。
