RSTN20N013A3

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN20N013A3 是一款超低导通电阻、超大电流N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN封装（具体尺寸参考手册），额定漏源电压 VDS = 20V，连续漏极电流 ID = 100A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 300A。导通电阻典型值极低，为 1.3mΩ（VGS=4.5V, ID=100A）和1.7mΩ（VGS=2.5V），支持低压大电流应用。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。该封装具有优异的散热能力，适合超高功率密度设计。

■ 关键电气参数
RSTN20N013A3 的栅极阈值电压典型值约0.7V（范围0.5~1.0V），兼容1.8V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约 2500pF（VDS=10V），输出电容约400pF，反向传输电容约300pF。栅极电荷 Qg 典型值约35nC（VGS=4.5V, ID=100A），开关速度快。开关时间（VDD=10V, ID=1A）显示开通延迟约6ns，上升约12ns，关断延迟约18ns，下降约7ns。体二极管反向恢复时间约15ns，恢复电荷约6nC，适合高频硬开关应用。

■ 热管理与可靠性设计
RSTN20N013A3 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 38W，TC=100℃ 时降额至15W；结到壳热阻 RθJC = 3.3℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 80℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为28℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 26A，雪崩能量 EAS = 33.8mJ（L=0.1mH）。建议在PCB布局中为大电流路径提供宽铜箔和大量过孔，以优化散热。

■ 典型应用场景
RSTN20N013A3 凭借20V耐压和100A电流能力，广泛适用于：

• 笔记本电源管理：CPU/GPU核心供电（VRM）的大功率级。

• 便携设备电池保护：大容量锂电的充放电保护。

• 负载开关：服务器、数据中心中的大电流热插拔开关。

• DC/DC转换器：低压大电流降压转换器的主开关。

瑞斯特 RSTN20N013A3 为低压大电流系统提供了极低的导通损耗和强大的电流能力。