RSTN20D05A3
RSTN20D05A3 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN20D05A3 是一款低压N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN3x3I-8_EP封装，额定漏源电压 VDS = 20V，连续漏极电流 ID = 13A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = 39A。导通电阻典型值为 5.2mΩ（VGS=4.5V, ID=3A）和 6.7mΩ（VGS=2.5V），适合低压大电流开关应用。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN3x3封装具有较小的占板面积和良好的散热性能，适合便携设备和高密度电源。
■ 关键电气参数
RSTN20D05A3 的栅极阈值电压典型值约0.75V（范围0.4~1.1V），兼容1.8V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约900pF（VDS=10V），输出电容约260pF，反向传输电容约170pF。栅极电荷 Qg 典型值约17nC（VGS=4.5V, ID=3A），开关速度快。开关时间（VDD=10V, ID=1A）显示开通延迟约10.6ns，上升约16.3ns，关断延迟约85ns，下降约35ns。体二极管反向恢复时间约300ns，恢复电荷约930nC，适用于低频硬开关拓扑。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN20D05A3 在 TA=25℃ 时最大耗散功率为 1.9W，TA=70℃ 时降额至1.2W；结到环境热阻（稳态）RθJA = 65℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为35℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 21A，雪崩能量 EAS = 22mJ（L=0.1mH）。建议在PCB布局中为DFN封装提供足够铜箔和过孔，以辅助散热。
■ 典型应用场景
RSTN20D05A3 凭借20V耐压和13A电流能力，广泛适用于：
笔记本电源管理：负载开关、电源路径切换。
便携设备：智能手机、平板电脑中的电池充放电保护。
单节锂离子电池包：保护电路中的主开关。
DC/DC转换器：小功率降压转换器的主开关。
瑞斯特 RSTN20D05A3 为低压系统提供了高效、紧凑的开关解决方案。
