RSTN2096
RSTN2096 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN2096 是一款低压N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN2x3A-6_EP封装，额定漏源电压 VDS = 20V，连续漏极电流 ID = 15A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = 45A。导通电阻典型值为 15mΩ（VGS=4.5V, ID=4A）和18mΩ（VGS=2.5V, ID=4A），支持低压驱动。器件内置ESD保护，经过100% UIS测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN2x3封装具有较小的占板面积，适合笔记本、便携设备和电池供电系统的电源管理。
■ 关键电气参数
RSTN2096 的栅极阈值电压典型值约0.7V（范围0.5~1.0V），兼容1.8V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约950pF（VDS=10V），输出电容约175pF，反向传输电容约150pF。栅极电荷 Qg 典型值约13.5nC（VGS=4.5V, ID=4A），其中栅源电荷约1.5nC，栅漏电荷约4.5nC。开关时间（VDD=10V, ID=1A）显示开通延迟约6ns，上升约11ns，关断延迟约48ns，下降约21ns。体二极管反向恢复时间约15ns，恢复电荷约7nC，适合高频开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN2096 在 TA=25℃ 时最大耗散功率为 3.5W，TA=85℃ 时降额至1.8W；结到环境热阻 RθJA = 36℃/W（1in²铜箔），结到壳热阻 RθJC = 5.6℃/W。雪崩耐受能力未明确标注，但设计可靠。建议在PCB布局中为DFN2x3封装提供足够铜箔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN2096 凭借20V耐压和15A电流能力，广泛适用于：
笔记本电源管理：负载开关、电源路径切换。
便携设备：智能手机、平板电脑中的电池保护。
DC/DC转换器：小功率降压转换器的主开关。
电池供电系统：单节锂电充放电管理。
瑞斯特 RSTN2096 为低压小尺寸系统提供了高效、紧凑的开关方案。
