RSTN2045A5
RSTN2045A5 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN2045A5 是一款低压互补型功率MOSFET，集成N沟道和P沟道，采用紧凑的DFN2x2C-6_EP2封装。N沟道额定 VDS = 20V，连续电流 ID = 13A（TC=25℃）；P沟道额定 VDS = -20V，连续电流 ID = -10A（TC=25℃）。N沟道导通电阻典型值为 20mΩ（VGS=4.5V）和25mΩ（VGS=2.5V）；P沟道为 48mΩ（VGS=-4.5V）和66mΩ（VGS=-2.5V）。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN2x2C封装具有极小的占板面积，适合负载开关和网络设备。
■ 关键电气参数
N沟道栅极阈值电压典型值约0.7V（范围0.5~0.9V），P沟道约-0.7V，兼容1.8V驱动。动态特性方面，N沟道输入电容典型值约 600pF（VDS=10V），输出电容约80pF，反向传输电容约50pF；P沟道电容值相近。栅极电荷N沟道约 4.5nC（VGS=4.5V），P沟道约4.6nC。开关时间N沟道开通延迟约4ns，上升约8ns，关断延迟约14ns，下降约5ns；P沟道略慢。体二极管反向恢复时间约22ns，恢复电荷约6nC，适合高频开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN2045A5 在 TC=25℃ 时单路最大耗散功率为 16W（N沟道）和17W（P沟道），TC=70℃ 时降额至9W和10W；结到环境热阻（稳态）RθJA = 135℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为85℃/W。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 6A（EAS=9mJ）（L=0.5mH）。建议在PCB布局中为DFN2x2封装提供足够铜箔，确保双通道散热。
■ 典型应用场景
RSTN2045A5 凭借互补特性和小封装，广泛适用于：
负载开关：便携设备、网络设备中的电源路径切换。
网络设备：路由器、交换机中的信号切换和电源管理。
电池保护：单节锂电充放电控制。
逻辑电平转换：低电压接口驱动。
瑞斯特 RSTN2045A5 为低压小尺寸系统提供了高集成度、低损耗的互补开关方案。
