RSTN2002A7
RSTN2002A7 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN2002A7 是一款低压小信号N沟道增强型功率MOSFET，采用超小型DFN1006封装，额定漏源电压 VDS = 20V，连续漏极电流 ID = 1A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = 3A。导通电阻典型值为 160mΩ（VGS=4.5V, ID=0.4A）、200mΩ（VGS=2.5V, ID=0.3A）和240mΩ（VGS=1.8V, ID=0.2A），支持1.8V超低压驱动。器件经过可靠性测试，符合RoHS且满足MSL1等级。DFN1006封装具有极小的占板面积（1.0×0.6mm），适合高密度便携设备。
■ 关键电气参数
RSTN2002A7 的栅极阈值电压典型值约0.65V（范围0.4~1.1V），兼容1.8V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约73pF（VDS=10V），输出电容约15pF，反向传输电容约9pF。栅极电荷 Qg 典型值约1.1nC（VGS=4.5V），开关速度极快。开关时间（VDD=10V, ID=1A）显示开通延迟约2ns，上升约14ns，关断延迟约35ns，下降约29ns。体二极管反向恢复时间约7.6ns，恢复电荷约1.6nC，适合高频开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN2002A7 在 TA=25℃ 时最大耗散功率为 0.98W，TA=70℃ 时降额至0.63W；结到环境热阻（稳态）RθJA = 127℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为96℃/W。该器件未明确标注雪崩能力，但设计可靠。建议在PCB布局中为DFN1006封装提供足够铜箔，以确保散热。
■ 典型应用场景
RSTN2002A7 凭借20V耐压和1A电流能力，以及超小封装，广泛适用于：
高速模拟开关：信号切换、采样保持电路。
低电压驱动：1.8V/2.5V逻辑系统。
笔记本电源管理：小信号负载开关、电源路径切换。
便携设备：智能手机、可穿戴设备中的电池保护。
瑞斯特 RSTN2002A7 为低压小信号应用提供了高性能、小尺寸的解决方案。
