RSTN16C04A1
RSTN16C04A1 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN16C04A1 是一款集成N沟道和P沟道的互补型功率MOSFET，采用DFN5x6C-8_EP2封装。N沟道额定 VDS = 40V，连续电流 ID = 16A（TC=25℃）；P沟道额定 VDS = -40V，连续电流 ID = -16A（TC=25℃）。N沟道导通电阻典型值为 15.5mΩ（VGS=10V, ID=9A），P沟道为 30mΩ（VGS=-10V, ID=-7A）。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN5x6C封装具有较大的散热焊盘和低寄生参数，适合大电流高密度电源应用。
■ 关键电气参数
RSTN16C04A1 的N沟道栅极阈值电压典型值约1.8V（范围1.3~2.3V），P沟道约-1.8V。动态特性方面，N沟道输入电容典型值约3955pF（VDS=20V），输出电容约105pF，反向传输电容约42pF；P沟道电容值相近。栅极电荷N沟道约 8.3nC（VGS=10V, ID=4A），P沟道约17nC（VGS=-10V, ID=-7A）。开关时间N沟道开通延迟约5.5ns，上升约10.5ns，关断延迟约15ns，下降约3.7ns，速度极快。体二极管反向恢复时间约11ns，恢复电荷约3.5nC，适合高频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN16C04A1 在 TC=25℃ 时单路最大耗散功率为 18.9W（双路合计），TC=100℃ 时降额至7.6W；结到壳热阻 RθJC = 6.6℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 95℃/W（1in²铜箔），瞬态（t≤10s）为45℃/W。雪崩耐受能力为N沟道 IAS = 26A（EAS=33mJ），P沟道 IAS = -38A（EAS=72mJ）（L=0.1mH）。建议在PCB布局中为DFN5x6封装提供足够铜箔和过孔，确保双路同时工作时的热管理。
■ 典型应用场景
RSTN16C04A1 凭借互补特性和大电流能力，广泛适用于：
同步整流：高效DC/DC转换器的次级同步整流。
电机控制：无刷直流电机（BLDC）驱动中的半桥。
大电流高速开关：服务器电源、通信设备中的功率开关。
负载开关：工业控制和汽车电子中的电源路径管理。
瑞斯特 RSTN16C04A1 为高性能系统提供了高集成度、低损耗的互补开关方案。
