RSTN13C04BA2
RSTN13C04BA2 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN13C04BA2 是一款中等电流互补型功率 MOSFET，集成 N 沟道和 P 沟道，采用 DFN3.3x3.3G-8_EP2 封装。N 沟道额定 VDS = 40V，连续电流 ID = 15A（TC=25℃）；P 沟道额定 VDS = -40V，连续电流 ID = -13A（TC=25℃）。N 沟道导通电阻典型值为 15mΩ（VGS=10V, ID=15A），P 沟道为 33mΩ（VGS=-10V, ID=-13A）。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，可靠性高，符合 RoHS 且满足 MSL1 等级。DFN3.3x3.3 封装适合空间受限的中功率应用。
■ 关键电气参数
RSTN13C04BA2 的 N 沟道栅极阈值电压典型值约 1.8V（范围 1.5~2.5V），P 沟道约 -1.8V。动态特性方面，N 沟道输入电容典型值约 1500pF（VDS=20V），输出电容约 150pF，反向传输电容约 80pF。栅极电荷 N 沟道约 15nC（VGS=10V），P 沟道约 18nC。开关时间 N 沟道开通延迟约 12ns，上升约 18ns，关断延迟约 35ns，下降约 22ns。体二极管反向恢复时间约 14ns，恢复电荷约 8nC，适合一般频率开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN13C04BA2 在 TC=25℃ 时单路最大耗散功率为 13.9W（双路合计），TC=100℃ 时降额至 5.6W；结到壳热阻 RθJC = 9℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 95℃/W（1in² 铜箔）。雪崩耐受能力为 N 沟道 IAS = 10A，EAS = 25mJ；P 沟道 IAS = -11A，EAS = 30mJ（L=0.5mH）。邦定线电流限制为 8A，连续电流需注意降额。建议在 PCB 中为 DFN 封装提供足够铜箔和过孔以辅助散热。
■ 典型应用场景
RSTN13C04BA2 凭借互补特性和适中电流，广泛适用于：
风扇预驱动器 H 桥：散热风扇、小型风机驱动。
电机控制：小功率 BLDC 电机、步进电机驱动。
同步整流：低压 DC/DC 转换器的同步整流。
负载开关：便携设备、网络设备中的电源切换。
瑞斯特 RSTN13C04BA2 为低压系统提供了性价比高的互补开关解决方案。
