RSTN13C04A2

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN13C04A2 是一款大电流互补型功率 MOSFET，集成 N 沟道和 P 沟道，采用 DFN3.3x3.3G-8_EP2 封装。N 沟道额定 VDS = 40V，连续电流 ID = 20A（TC=25℃）；P 沟道额定 VDS = -40V，连续电流 ID = -20A（TC=25℃）。N 沟道导通电阻典型值为 11mΩ（VGS=10V, ID=20A），P 沟道为 28mΩ（VGS=-10V, ID=-20A）。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，可靠性高，符合 RoHS 且满足 MSL1 等级。DFN3.3x3.3 封装提供良好的散热和低寄生参数，适合高密度电源应用。

■ 关键电气参数
RSTN13C04A2 的 N 沟道栅极阈值电压典型值约 1.8V（范围 1.5~2.5V），P 沟道约 -1.8V。动态特性方面，N 沟道输入电容典型值约 2000pF（VDS=20V），输出电容约 200pF，反向传输电容约 100pF。栅极电荷 N 沟道约 20nC（VGS=10V），P 沟道约 25nC。开关时间 N 沟道开通延迟约 10ns，上升约 15ns，关断延迟约 30ns，下降约 20ns。体二极管反向恢复时间约 15ns，恢复电荷约 10nC，适合中高频开关应用。

■ 热管理与可靠性设计
RSTN13C04A2 在 TC=25℃ 时单路最大耗散功率为 13.9W（双路合计），TC=100℃ 时降额至 5.6W；结到壳热阻 RθJC = 9℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 95℃/W（1in² 铜箔）。雪崩耐受能力为 N 沟道 IAS = 10A，EAS = 25mJ；P 沟道 IAS = -11A，EAS = 30mJ（L=0.5mH）。注意邦定线电流限制为 8A，连续电流需降额。建议为 DFN 封装提供充足散热铜箔，确保双路同时工作时的热管理。

■ 典型应用场景
RSTN13C04A2 凭借互补特性和大电流能力，广泛适用于：

• 风扇预驱动器 H 桥：散热风扇、鼓风机驱动。

• 电机控制：小功率 BLDC 电机、步进电机驱动。

• 同步整流：低压大电流 DC/DC 转换器的同步整流。

• 负载开关和电源路径管理：多电源切换、理想二极管。

瑞斯特 RSTN13C04A2 为高性能低压系统提供了集成度高、电流能力强的互补开关方案。