RSTN100N80A2

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN100N80A2 是一款高压小电流N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN3.3x3.3_8L_EP1_P封装，额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 4A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = 12A。导通电阻典型值为 54mΩ（VGS=10V, ID=3A）和58mΩ（VGS=4.5V, ID=1.8A），适合中压小功率应用。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS且满足MSL1等级。DFN3.3x3.3封装具有较小的占板面积，适合电机控制和风扇预驱动器H桥。

■ 关键电气参数
RSTN100N80A2 的栅极阈值电压典型值约2V（范围1~3V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约300pF（VDS=50V），输出电容约58pF，反向传输电容约15pF。栅极电荷 Qg 典型值约5.7nC（VGS=10V, ID=3A）和3nC（VGS=4.5V），其中栅源电荷约0.9nC，栅漏电荷约1.5nC。开关时间（VDD=30V, ID=1A）显示开通延迟约9ns，上升约8ns，关断延迟约16ns，下降约9ns。体二极管反向恢复时间约25ns，恢复电荷约29nC，适合高频开关应用。

■ 热管理与可靠性设计
RSTN100N80A2 在 TA=25℃ 时最大耗散功率为 1.79W，TA=70℃ 时降额至1.14W；结到环境热阻（稳态）RθJA = 70℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 6A，雪崩能量 EAS = 9mJ（L=0.5mH）。建议在PCB布局中为DFN封装提供足够铜箔，以确保散热。

■ 典型应用场景
RSTN100N80A2 凭借100V耐压和4A电流能力，广泛适用于：

• 电机控制：小功率电机驱动中的功率开关。

• 风扇预驱动器H桥：散热风扇、鼓风机驱动。

• 负载开关：工业控制、通信设备中的高压小电流切换。

• 辅助电源：高压辅助电源中的开关。

瑞斯特 RSTN100N80A2 为100V小功率系统提供了高效、紧凑的解决方案。