RSTN100D15A1

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN100D15A1 是一款高压N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6C-8_EP2封装，额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 35A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 105A。导通电阻典型值为 15mΩ（VGS=10V）和20mΩ（VGS=4.5V），具有较低导通损耗。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS要求。DFN5x6C封装提供良好的散热和低寄生参数，适合笔记本、便携设备和电池供电系统的电源管理。

■ 关键电气参数
RSTN100D15A1 的栅极阈值电压典型值约2V（范围1~3V），兼容3.3V驱动。动态参数方面，输入电容典型值约 1500pF（VDS=50V），输出电容约200pF，反向传输电容约50pF。栅极电荷 Qg 典型值约28nC（VGS=10V），开关速度快。开关时间（VDD=30V, ID=1A）显示开通延迟约15ns，上升约8ns，关断延迟约30ns，下降约20ns。体二极管反向恢复时间约35ns，恢复电荷约50nC，适合中高频硬开关应用。

■ 热管理与可靠性设计
RSTN100D15A1 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 30W，TC=100℃ 时降额至11W；结到壳热阻 RθJC = 4.2℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 90℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 15A，雪崩能量 EAS = 56mJ（L=0.5mH）。建议在PCB布局中为DFN5x6封装提供足够铜箔和过孔，以确保散热。

■ 典型应用场景
RSTN100D15A1 凭借100V耐压和35A电流能力，广泛适用于：

• 笔记本电源管理：CPU/GPU供电、负载开关。

• 便携设备：平板电脑、移动电源中的电池保护。

• DC/DC转换器：中压大电流降压转换器的主开关。

• 电池供电系统：多节锂电充放电管理。

瑞斯特 RSTN100D15A1 为100V系统提供了高效、可靠的开关方案。