RSTN100C150A1
RSTN100C150A1 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTN100C150A1 是一款集成N沟道和P沟道的互补型功率MOSFET，采用DFN5x6C-8_EP2封装。N沟道额定 VDS = 100V，连续电流 ID = 15A（TC=25℃）；P沟道额定 VDS = -100V，连续电流 ID = -12A（TC=25℃）。N沟道导通电阻典型值为 100mΩ（VGS=10V）和110mΩ（VGS=4.5V）；P沟道为 150mΩ（VGS=-10V）和170mΩ（VGS=-4.5V）。器件经过100% UIS和Rg测试，可靠性高，符合RoHS且满足MSL1等级。DFN5x6C封装具有优异的散热能力和低寄生参数，适合直流电机控制。
■ 关键电气参数
N沟道栅极阈值电压典型值约1.8V（范围1~3V），P沟道约-1.8V（范围-1~-2.5V），兼容3.3V驱动。动态特性方面，N沟道输入电容典型值约700pF（VDS=30V），输出电容约45pF，反向传输电容约27pF；P沟道电容值相近。栅极电荷N沟道约 16nC（VGS=10V），P沟道约7.8nC（VGS=-4.5V）。开关时间N沟道开通延迟约9ns，上升约5ns，关断延迟约54ns，下降约32ns。体二极管反向恢复时间N沟道约29ns，恢复电荷约39nC，适合中高频硬开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTN100C150A1 在 TC=25℃ 时单路最大耗散功率为 17.8W（双路合计），TC=100℃ 时降额至7.1W；结到壳热阻 RθJC = 7℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 85℃/W（1in²铜箔）。雪崩耐受能力为N沟道 IAS = 5A（EAS=6.25mJ），P沟道 IAS = 9A（EAS=20mJ）（L=0.5mH）。建议在PCB布局中为DFN5x6封装提供足够铜箔和过孔，确保双路同时工作时的热管理。
■ 典型应用场景
RSTN100C150A1 凭借互补特性和100V耐压，广泛适用于：
直流电机控制：H桥驱动中的上下管开关。
半桥/全桥拓扑：逆变器、D类功放中的功率开关。
同步整流：高压DC/DC转换器的次级整流。
负载开关：工业控制、汽车电子中的电源路径管理。
瑞斯特 RSTN100C150A1 为100V互补开关应用提供了高集成度、低导通损耗的解决方案。
