RSTLG150N035

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTLG150N035 是一款高压大电流 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TOLL 封装，额定漏源电压 VDS = 150V，连续漏极电流 ID = 250A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 750A。导通电阻典型值为 3.5mΩ（VGS=10V, ID=90A），在 150V 耐压器件中具有较低导通损耗。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，可靠性高，符合 RoHS 且满足 MSL1 等级。TOLL 封装结合低寄生电感和低热阻，适用于高压大功率转换系统。

■ 关键电气参数
RSTLG150N035 的导通电阻最大值为 4.2mΩ，栅极阈值电压典型值 3V（范围 2~4V），兼容 5V 驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值为 8900pF（VDS=75V），输出电容约 735pF，反向传输电容约 100pF。栅极电荷 Qg 典型值约 130nC（VGS=10V, ID=90A），其中栅源电荷约 50nC，栅漏电荷约 26nC。开关时间（VDD=30V, ID=1A）为开通延迟约 45ns，上升约 32ns，关断延迟约 123ns，下降约 28ns。体二极管反向恢复时间 115ns，恢复电荷 520nC，适用于中等频率硬开关拓扑。

■ 热管理与可靠性设计
RSTLG150N035 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 375W，TC=100℃ 时降额至 187W；结到壳热阻 RθJC = 0.4℃/W，结到环境热阻 RθJA = 50℃/W（1in² 铜箔）。其雪崩耐受能力为单脉冲雪崩电流 IAS = 48A，雪崩能量 EAS = 576mJ（L=0.5mH），能够承受一定的瞬态过压。最高结温 175℃，为高温应用提供足够裕度。设计中应确保足够的铜箔面积和过孔以有效散热。

■ 典型应用场景
RSTLG150N035 凭借 150V 耐压和 250A 电流能力，广泛适用于：

• 同步整流：高压输出开关电源的同步整流级。

• 逆变器系统电源管理：工业逆变器、光伏逆变器的功率开关。

• 电机驱动：高压有刷/无刷电机控制。

• 不间断电源（UPS）：高压 UPS 的功率因数校正和逆变桥臂。

瑞斯特 RSTLG150N035 为高压大功率应用提供了兼具低导通电阻和高可靠性的开关选择。