RSTLG110N016

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTLG110N016 是一款面向高压大电流应用的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TOLL 表面贴装封装，额定漏源电压 VDS = 110V，连续漏极电流 ID = 280A（TC=25℃），脉冲电流高达 840A。该器件具有极低的导通电阻，典型值仅 1.6mΩ（VGS=10V, ID=40A），在 110V 耐压等级中表现突出。RSTLG110N016 经过 100% UIS 和 Rg 测试，确保在苛刻开关环境下的鲁棒性，同时符合 RoHS 环保要求。TOLL 封装凭借低寄生电感和优异散热路径，适合高功率密度系统集成。

■ 关键电气参数
RSTLG110N016 的导通电阻最大值仅为 1.8mΩ，栅极阈值电压典型值约 3V（范围 2~4V），兼容 5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值为 13450pF（VDS=30V），输出电容约 9600pF，反向传输电容约 4130pF，较低的电容有助于提升开关速度。栅极电荷 Qg 典型值为 130nC（VGS=10V, ID=40A），其中栅源电荷约 40nC，栅漏电荷约 30nC。开关时间测试（VDD=30V, ID=1A）显示开通延迟约 80ns，上升约 45ns，关断延迟约 206ns，下降约 44ns，适用于中等频率的开关应用。体二极管反向恢复时间 90ns，恢复电荷 240nC，为硬开关拓扑提供了可靠的反向恢复性能。

■ 热管理与可靠性设计
RSTLG110N016 在 TC=25℃ 时最大耗散功率为 312W，在 TC=100℃ 时降额至 125W；结到壳热阻 RθJC = 0.4℃/W，结到环境热阻（1in² 铜箔）RθJA = 50℃/W。其雪崩耐受能力非常出色，单脉冲雪崩电流 IAS = 100A，雪崩能量 EAS = 2500mJ（L=0.5mH），能够安全吸收感性负载产生的反向能量。注意连续电流受邦定线能力限制（最大 120A），实际应用中需结合散热条件进行降额。建议在 PCB 布局中为大电流路径铺设宽铜箔并增加散热过孔，以充分发挥 TOLL 封装的低热阻优势。

■ 典型应用场景
RSTLG110N016 凭借 110V 耐压和 280A 电流能力，广泛适用于以下高功率领域：

• 同步整流：服务器电源、通信电源等输出级的高效同步整流。

• 逆变器系统电源管理：光伏逆变器、储能变流器中的功率开关。

• 电机驱动：大功率 BLDC 电机和有刷电机的驱动级。

• 不间断电源（UPS）：在线式 UPS 的功率因数校正和逆变桥臂。

瑞斯特 RSTLG110N016 以卓越的电流能力和超低导通电阻，为高压大功率转换系统提供理想的开关解决方案。