RSTK65R028

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTK65R028 是一款超低导通电阻、超大电流的高压 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，专为开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）等 AC/DC 功率转换应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 650V，连续漏极电流 ID = 80A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 240A，栅源电压耐受 ±30V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTK65R028 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性，符合 RoHS 环保要求。TO-247 封装提供极低的热阻和优异的电流承载能力，适合高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTK65R028 的导通电阻典型值仅为 RDS(on) = 28mΩ（VGS=10V, ID=30A），最大 35mΩ，在 650V 耐压等级中表现极为优异。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值 3.5V（范围 2.5~4.5V），兼容 5V/10V 驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值 7743pF（VDS=300V），输出电容 Coss 约 193pF，反向传输电容 Crss 约 71pF。栅极电荷 Qg 典型值 155nC（VGS=10V, ID=30A），栅源电荷 Qgs 44nC，栅漏电荷 Qgd 52nC。栅极电阻 Rg 典型值 1.3Ω。开关时间典型值：开通延迟 48ns，上升 36ns，关断延迟 201ns，下降 827ns（测试条件 VDD=30V, ID=1A）。体二极管反向恢复时间 445ns，恢复电荷 11nC。

■ 热管理与可靠性设计
RSTK65R028 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 347W，TC=100℃ 时降额至 139W；在 TA=25℃ 时（表面贴装）为 2.5W。结到壳热阻 RθJC = 0.36℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 40℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件具有极高的雪崩耐受能力，单脉冲雪崩电流 IAS = 19.6A，雪崩能量 EAS = 1921mJ（L=10mH），确保在感性负载开关中的可靠性。建议在高压应用中注意爬电距离和绝缘设计，并为散热焊盘提供足够的铜箔面积，充分利用 TO-247 封装的低热阻优势。

■ 典型应用场景
RSTK65R028 凭借 650V 耐压、80A 电流能力和超低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 开关电源（SMPS）：AC/DC 转换器中的主开关和辅助电源。

• 不间断电源（UPS）：逆变器和功率因数校正（PFC）电路。

• 工业电源：高功率工业设备中的电源管理。

• 电机驱动：高压大功率电机控制。

瑞斯特 RSTK65R028 以其卓越的电流能力和超低导通电阻，成为高压大功率转换应用的理想选择。