RSTH65R135

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTH65R135 是一款高压大电流 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，专为开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和适配器等 AC/DC 功率转换应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 650V，连续漏极电流 ID = 24A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 72A，栅源电压耐受 ±30V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTH65R135 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性，符合 RoHS 环保要求。TO-247 封装提供极低的热阻和优异的电流承载能力，适合高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTH65R135 的导通电阻典型值 RDS(on) = 0.121Ω（VGS=10V, ID=12A），最大 0.13Ω，在 650V 耐压等级中表现均衡。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值 3.5V（范围 2.5~4.5V），兼容 5V/10V 驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值 2208pF（VDS=325V），输出电容 Coss 约 55pF，反向传输电容 Crss 约 5pF。栅极电荷 Qg 典型值 50nC（VGS=10V, ID=12A），栅源电荷 Qgs 11nC，栅漏电荷 Qgd 19nC。栅极电阻 Rg 典型值 3Ω。开关时间典型值：开通延迟 23ns，上升 20ns，关断延迟 59ns，下降 207ns（测试条件 VDD=30V, ID=1A）。体二极管反向恢复时间 305ns，恢复电荷 4.7μC。

■ 热管理与可靠性设计
RSTH65R135 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 208W，TC=100℃ 时降额至 83W；在 TA=25℃ 时（表面贴装）为 2.5W。结到壳热阻 RθJC = 0.6℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 40℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件通过 UIS 测试，单脉冲雪崩电流 IAS = 6.9A，雪崩能量 EAS = 239mJ（L=10mH），确保在感性负载开关中的可靠性。建议在高压应用中注意爬电距离和绝缘设计，并为散热焊盘提供足够的铜箔面积，充分利用 TO-247 封装的低热阻优势。

■ 典型应用场景
RSTH65R135 凭借 650V 耐压、24A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 开关电源（SMPS）：AC/DC 转换器中的主开关和辅助电源。

• 不间断电源（UPS）：逆变器和功率因数校正（PFC）电路。

• 适配器：笔记本、手机等充电器的电源转换级。

• LED 照明驱动：高压恒流驱动电路。

瑞斯特 RSTH65R135 以 TO-247 封装提供高耐压、高电流和低导通电阻，是高压功率转换应用的理想选择。