RSTG11R019

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTG11R019 是一款采用屏蔽栅沟槽（Shielded Gate Trench）DMOS 技术的超大电流 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TOLL 封装，专为电机驱动、UPS、DC/DC 转换器、同步整流和 BMS 等高功率应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 110V，连续漏极电流（封装限制）ID = 300A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 1200A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 175℃（更高温度等级），存储温度范围 -55℃~175℃。RSTG11R019 具备改善的 dv/dt 能力和快速开关特性，100% EAS 保证，符合 RoHS 要求。

■ 关键电气参数
RSTG11R019 的导通电阻典型值 RDS(on) = 1.62mΩ（VGS=10V, ID=50A），最大 1.95mΩ，这是极低的导通电阻，使其在大电流下损耗极低。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值 3.25V（范围 2.0~4.0V），兼容 5V/10V 驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值 8860pF（VDS=55V），输出电容 Coss 约 2165pF，反向传输电容 Crss 约 77.3pF。栅极电荷 Qg 典型值 147.1nC（VGS=10V, ID=50A），栅源电荷 Qgs 42.6nC，栅漏电荷 Qgd 41.9nC。栅极电阻 Rg 典型值 2.1Ω。开关时间典型值：开通延迟 114ns，上升 182.8ns，关断延迟 172ns，下降 85ns（测试条件 VDD=55V, ID=50A）。体二极管反向恢复时间 77.9ns，恢复电荷 177.1nC。

■ 热管理与可靠性设计
RSTG11R019 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 429W；在 TA=25℃ 时（最小焊盘）为 2.5W。结到壳热阻 RθJC = 0.35℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 62℃/W。器件通过 UIS 测试，单脉冲雪崩电流 IAS = 64A，雪崩能量 EAS = 1024mJ（VDD=50V），确保在感性负载开关中的可靠性。建议在 PCB 布局中为大电流路径提供宽铜箔并增加过孔以辅助散热，充分利用 TOLL 封装的低电感和低热阻优势。

■ 典型应用场景
RSTG11R019 凭借 110V 耐压、300A 电流能力和毫欧级导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 电机驱动：大功率直流无刷电机（BLDC）驱动。

• UPS：不间断电源中的功率开关。

• DC/DC 转换器：高功率密度降压/升压转换器的主开关。

• 同步整流（SR）：开关电源输出端的高效同步整流。

• BMS：电池管理系统中的高电流保护开关。

瑞斯特 RSTG11R019 以 TOLL 封装提供卓越的电流能力和超低导通损耗，是高性能大功率系统的理想功率开关。