RSTG100N04HA

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTG100N04HA 是一款高电流 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDFN5x6-8 封装，专为 SMPS 电源管理和 DC/DC 转换器等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 100A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 300A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTG100N04HA 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性，符合 RoHS 要求。PDFN5x6-8 封装提供低热阻和低寄生电感，适合高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTG100N04HA 的导通电阻典型值 RDS(on) = 4.1mΩ（VGS=10V, ID=30A），最大 5.0mΩ，在 100V 耐压等级中表现优异。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值约 3V（范围 2~4V），兼容 5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值 3420pF（VDS=30V），输出电容 Coss 约 1100pF，反向传输电容 Crss 约 70pF。栅极电荷 Qg 典型值 64nC（VGS=10V, ID=30A），栅源电荷 Qgs 12nC，栅漏电荷 Qgd 13nC。栅极电阻 Rg 典型值 1Ω。开关时间典型值：开通延迟 24ns，上升 12ns，关断延迟 75ns，下降 95ns（测试条件 VDD=30V, ID=1A）。体二极管反向恢复时间 61ns，恢复电荷 125nC。

■ 热管理与可靠性设计
RSTG100N04HA 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 250W，TC=100℃ 时降额至 100W；在 TA=25℃ 时（表面贴装）为 2.5W。结到壳热阻 RθJC = 0.5℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 60℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件通过 UIS 测试，单脉冲雪崩电流 IAS = 33A，雪崩能量 EAS = 272mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的可靠性。建议在 PCB 布局中为底部散热焊盘提供良好焊接，并增加过孔以辅助散热。

■ 典型应用场景
RSTG100N04HA 凭借 100V 耐压、100A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• SMPS 电源管理：开关电源中的主开关和同步整流。

• DC/DC 转换器：48V 或 72V 总线系统的降压/升压转换器。

• 电机驱动：大功率有刷/无刷电机控制。

• 电池保护：多节锂电池组的前端保护电路。

瑞斯特 RSTG100N04HA 以 PDFN5x6-8 封装提供高耐压、高电流和低导通电阻，是高功率密度应用的理想选择。