RSTG04N04

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTG04N04 是一款低导通电阻 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOP-8 表面贴装封装，专为 SMPS 同步整流、负载开关和 DC/DC 转换等紧凑型应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 45V，连续漏极电流 ID = 18A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = 54A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTG04N04 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性，符合 RoHS 要求。SOP-8 封装适合高密度 PCB 布局，广泛应用于便携设备和通信设备。

■ 关键电气参数
RSTG04N04 的导通电阻典型值 RDS(on) = 4mΩ（VGS=10V, ID=10A），在 VGS=4.5V 时典型值为 6mΩ，在 4.5V 驱动下仍能保持较低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值约 1.5V（范围 1.0~2.5V），兼容 3.3V/5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值约 800pF（VDS=22V），输出电容约 200pF，反向传输电容约 100pF。栅极电荷 Qg 典型值约 15nC（VGS=10V, ID=10A），栅源电荷约 3nC，栅漏电荷约 4nC。开关速度较快，开通延迟约 10ns，上升约 8ns，关断延迟约 30ns，下降约 12ns。体二极管反向恢复时间约 25ns，恢复电荷约 30nC。

■ 热管理与可靠性设计
RSTG04N04 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 1.6W，TA=70℃ 时降额至 1W；在 TC=25℃ 时（表面贴装）为 2.5W。结到环境热阻（短脉冲 t≤10s）RθJA = 36℃/W，稳态 78℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件具有极高的雪崩耐受能力，单脉冲雪崩电流 IAS = 60A，雪崩能量 EAS = 180mJ（L=0.1mH），确保在感性负载开关中的可靠性。建议在 PCB 布局中为漏极焊盘提供足够的铜箔面积，并注意热管理设计以降低结温。

■ 典型应用场景
RSTG04N04 凭借 45V 耐压、18A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• SMPS 同步整流：开关电源输出端的高效同步整流。

• 负载开关：便携设备、通信设备中的负载切换。

• DC/DC 转换：中等功率密度降压转换器的主开关。

• 电池保护：多节锂电池组的前端保护电路。

瑞斯特 RSTG04N04 以 SOP-8 封装提供高效、紧凑的功率开关方案，是多种电源应用的理想选择。