RSTF20N200

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTF20N200 是一款中压大电流 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，专为同步整流、逆变器系统电源管理和 DC/DC 转换器等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 200V，连续漏极电流 ID = 60A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 180A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTF20N200 经过 100% UIS 和 Rg 测试，MSL 等级为 1，具备高可靠性，符合 RoHS 要求。TO-220 封装提供优异的散热能力，适合高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTF20N200 的导通电阻典型值 RDS(on) = 20mΩ（VGS=10V, ID=14A），最大 30mΩ，在 200V 耐压等级中表现优异。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值约 3V（范围 2~4V），兼容 5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值 5655pF（VDS=100V），输出电容 Coss 约 340pF，反向传输电容 Crss 约 140pF。栅极电荷 Qg 典型值 47nC（VGS=10V, ID=14A），栅源电荷 Qgs 13nC，栅漏电荷 Qgd 9.9nC。栅极电阻 Rg 典型值 1.5Ω。开关时间典型值：开通延迟 15ns，上升 11ns，关断延迟 48ns，下降 83ns（测试条件 VDD=100V, ID=14A）。体二极管反向恢复时间 93ns，恢复电荷 405nC。

■ 热管理与可靠性设计
RSTF20N200 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 71W，TC=100℃ 时降额至 29W。结到壳热阻 RθJC = 1.75℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 62.5℃/W。器件具有极高的雪崩耐受能力，单脉冲雪崩电流 IAS = 50A，雪崩能量 EAS = 1250mJ（L=1mH），确保在感性负载开关中的可靠性。建议在 PCB 布局中为大电流路径提供宽铜箔并增加过孔以辅助散热。

■ 典型应用场景
RSTF20N200 凭借 200V 耐压、60A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 同步整流：开关电源输出端的高效同步整流。

• 逆变器系统电源管理：逆变器中的功率开关和负载管理。

• DC/DC 转换器：高功率密度降压转换器的主开关。

• 电机驱动：大功率直流无刷电机控制。

瑞斯特 RSTF20N200 以 TO-220 封装提供高效、紧凑的功率开关方案，是高功率密度系统的理想选择。