RSTDG85N04

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTDG85N04 是一款高电流 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装，专为 SMPS 同步整流电源管理、移动 USB-PD 和快充适配器等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 85V，连续漏极电流 ID = 100A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 300A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTDG85N04 经过 100% UIS 和 Rg 测试，MSL 等级为 1，具备高可靠性，符合 RoHS 要求。TO-252 封装提供良好的散热能力，适合高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTDG85N04 的导通电阻典型值 RDS(on) = 4mΩ（VGS=10V, ID=40A），最大 6mΩ，在 85V 耐压等级中表现优异。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值约 3V（范围 2~4V），兼容 5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值 4550pF（VDS=40V），输出电容 Coss 约 2350pF，反向传输电容 Crss 约 95pF。栅极电荷 Qg 典型值 59nC（VGS=10V, ID=40A），栅源电荷 Qgs 13.7nC，栅漏电荷 Qgd 7.9nC。栅极电阻 Rg 典型值 1Ω。开关时间典型值：开通延迟 19ns，上升 8ns，关断延迟 69ns，下降 51ns（测试条件 VDD=30V, ID=1A）。

■ 热管理与可靠性设计
RSTDG85N04 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 104W，TC=100℃ 时降额至 41.6W；在 TA=25℃ 时（表面贴装）为 2.5W。结到壳热阻 RθJC = 1.2℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 50℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件具有极高的雪崩耐受能力，单脉冲雪崩电流 IAS = 58A，雪崩能量 EAS = 840mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的可靠性。建议在 PCB 布局中为大电流路径提供宽铜箔并增加过孔以辅助散热。

■ 典型应用场景
RSTDG85N04 凭借 85V 耐压、100A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• SMPS 同步整流：开关电源输出端的高效同步整流。

• 移动 USB-PD 适配器：USB 功率传输协议中的电源开关。

• 快充适配器：手机、笔记本等设备的快速充电电源管理。

• DC/DC 转换器：高功率密度降压转换器的主开关。

瑞斯特 RSTDG85N04 以 TO-252 封装提供高效、紧凑的功率开关方案，是电源适配器和充电器应用的理想选择。