RSTDG60N05

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTDG60N05 是一款高电流 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装，专为二次侧同步整流、DC/DC 转换器、电机控制和负载开关等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 90A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 270A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTDG60N05 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性，符合 RoHS 要求。TO-252 封装提供良好的散热能力，适合高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTDG60N05 的导通电阻典型值 RDS(on) = 5mΩ（VGS=10V, ID=40A），在 VGS=4.5V 时典型值为 6mΩ，在 4.5V 驱动下仍能保持较低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值约 2V（范围 1.0~3.0V），兼容 3.3V/5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值 2380pF（VDS=30V），输出电容 Coss 约 450pF，反向传输电容 Crss 约 65pF。栅极电荷 Qg 典型值 34nC（VGS=10V, ID=40A），栅源电荷 Qgs 7.9nC，栅漏电荷 Qgd 4.2nC。栅极电阻 Rg 典型值 1Ω。开关时间典型值：开通延迟 17ns，上升 6ns，关断延迟 44ns，下降 51ns（测试条件 VDD=30V, ID=1A）。

■ 热管理与可靠性设计
RSTDG60N05 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 78.1W，TC=100℃ 时降额至 31.3W；在 TA=25℃ 时（表面贴装）为 2.5W。结到壳热阻 RθJC = 1.6℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 50℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件通过 UIS 测试，单脉冲雪崩电流 IAS = 30A，雪崩能量 EAS = 225mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的可靠性。建议在 PCB 布局中为漏极焊盘提供足够的铜箔面积，并注意热管理设计以降低结温。

■ 典型应用场景
RSTDG60N05 凭借 60V 耐压、90A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 二次侧同步整流：开关电源输出端的高效同步整流。

• DC/DC 转换器：高功率密度降压转换器的主开关。

• 电机控制：大功率有刷/无刷电机驱动。

• 负载开关：服务器、通信设备中的高电流负载切换。

瑞斯特 RSTDG60N05 以 TO-252 封装提供高效、紧凑的功率开关方案，是多种电源应用的理想选择。