RSTDG100N06GD

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTDG100N06GD 是一款高电流 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252-2 封装，专为 SMPS 电源管理和 DC/DC 转换器等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 95A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 285A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTDG100N06GD 经过 100% UIS 和 Rg 测试，MSL 等级为 1，具备高可靠性，符合 RoHS 要求。TO-252-2 封装提供良好的散热能力，适合高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTDG100N06GD 的导通电阻典型值 RDS(on) = 6mΩ（VGS=10V, ID=30A），在 VGS=4.5V 时典型值为 7.5mΩ，在 4.5V 驱动下仍能保持较低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值约 2V（范围 1.0~3.0V），兼容 3.3V/5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值 3000pF（VDS=50V），输出电容 Coss 约 410pF，反向传输电容 Crss 约 40pF。栅极电荷 Qg 典型值 57nC（VGS=10V, ID=30A），栅源电荷 Qgs 11nC，栅漏电荷 Qgd 12nC。栅极电阻 Rg 典型值 1.5Ω。开关时间典型值：开通延迟 19ns，上升 11ns，关断延迟 70ns，下降 75ns（测试条件 VDD=30V, ID=1A）。

■ 热管理与可靠性设计
RSTDG100N06GD 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 125W，TC=100℃ 时降额至 50W；在 TA=25℃ 时（表面贴装）为 2.5W。结到壳热阻 RθJC = 1℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 50℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件通过 UIS 测试，单脉冲雪崩电流 IAS = 27A，雪崩能量 EAS = 182mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的耐受能力。建议在 PCB 布局中为漏极焊盘提供足够的铜箔面积，并注意热管理设计以降低结温。

■ 典型应用场景
RSTDG100N06GD 凭借 100V 耐压、95A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• SMPS 电源管理：开关电源中的主开关和同步整流。

• DC/DC 转换器：48V 或 72V 总线系统的降压/升压转换器。

• 电机驱动：高压有刷/无刷电机控制。

• 电池保护：多节锂电池组的前端保护电路。

瑞斯特 RSTDG100N06GD 以 TO-252-2 封装提供高耐压、高电流和低导通电阻，是高压功率开关应用的可靠选择。