RSTDG100N04

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTDG100N04 是一款高压大电流 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252-2 封装，专为高效率同步整流、不间断电源（UPS）以及硬开关高频电路等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 100V，连续漏极电流 ID = 120A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 360A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTDG100N04 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性，符合 RoHS 要求。TO-252-2 封装提供良好的散热能力，适合高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTDG100N04 的导通电阻典型值 RDS(on) = 4mΩ（VGS=10V, ID=60A），在 100V 耐压等级中表现极为优异。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值约 3V（范围 2~4V），兼容 5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值约 3500pF（VDS=50V），输出电容约 500pF，反向传输电容约 200pF。栅极电荷 Qg 典型值约 80nC（VGS=10V, ID=60A），栅源电荷约 18nC，栅漏电荷约 20nC。开关速度较快，开通延迟约 20ns，上升约 15ns，关断延迟约 60ns，下降约 30ns。体二极管反向恢复时间约 50ns，恢复电荷约 70nC。

■ 热管理与可靠性设计
RSTDG100N04 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 192W，TC=100℃ 时降额至 76W；在 TA=25℃ 时（表面贴装）为 2.5W。结到壳热阻 RθJC = 0.65℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 62.5℃/W。器件具有高雪崩耐受能力，单脉冲雪崩电流 IAS = 42A，雪崩能量 EAS = 441mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的可靠性。建议在 PCB 布局中为大电流路径提供宽铜箔并增加过孔以辅助散热。

■ 典型应用场景
RSTDG100N04 凭借 100V 耐压、120A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 高效率同步整流：开关电源（SMPS）输出端的同步整流。

• 不间断电源（UPS）：逆变器和功率因数校正（PFC）电路。

• 硬开关高频电路：高频开关电源中的主开关。

• DC/DC 转换器：高功率密度降压转换器的主开关。

瑞斯特 RSTDG100N04 以 TO-252-2 封装提供卓越的电流能力和低导通损耗，是高功率密度系统的理想选择。