RSTD90P06MPS

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD90P06MPS 是一款高电流 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252-2 封装，专为笔记本计算机、便携设备和电池供电系统的电源管理设计。该器件额定漏源电压 VDS = -60V（绝对值 60V），连续漏极电流 ID = -90A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -220A，栅源电压耐受 ±25V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTD90P06MPS 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性，符合 RoHS 要求。TO-252-2 封装提供良好的散热能力，适合高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTD90P06MPS 的导通电阻典型值 RDS(on) = 8.5mΩ（VGS=-10V, ID=30A），在 VGS=-4.5V 时典型值为 9.5mΩ，在 4.5V 驱动下仍能保持极低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值 -1.5V（范围 -1.0~-2.0V），兼容 3.3V/5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值 4800pF（VDS=-30V），输出电容 Coss 约 350pF，反向传输电容 Crss 约 185pF。栅极电荷 Qg 典型值 89nC（VGS=-10V, ID=30A），栅源电荷 Qgs 21nC，栅漏电荷 Qgd 24nC。栅极电阻 Rg 典型值 2Ω。开关时间典型值：开通延迟 23ns，上升 15ns，关断延迟 114ns，下降 47ns（测试条件 VDS=-30V, ID=1A）。体二极管反向恢复时间 47ns，恢复电荷 72nC。

■ 热管理与可靠性设计
RSTD90P06MPS 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 89.3W，TC=100℃ 时降额至 35.7W；在 TA=25℃ 时（表面贴装）为 2.5W。结到壳热阻 RθJC = 1.4℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 50℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件具有高雪崩耐受能力，单脉冲雪崩电流 IAS = -28A，雪崩能量 EAS = 196mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的可靠性。建议在 PCB 布局中为大电流路径提供宽铜箔并增加过孔以辅助散热。

■ 典型应用场景
RSTD90P06MPS 凭借 -60V 耐压、-90A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 笔记本计算机电源管理：系统电源路径管理和负载开关。

• 便携设备电源管理：电池充放电路径控制和反向保护。

• 电池供电系统：多节锂电池组的保护电路。

• DC/DC 转换器：低压差稳压器（LDO）或降压转换器中的功率开关。

瑞斯特 RSTD90P06MPS 以 TO-252-2 封装提供高电流能力和低导通损耗，是便携电源管理的理想选择。