RSTD8N50

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD8N50 是一款高压大电流 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 TO-252 封装，专为 AC/DC 功率转换、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和适配器等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 500V，连续漏极电流 ID = 8A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 24A（估计），栅源电压耐受 ±30V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTD8N50 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备雪崩额定值和高可靠性。TO-252 封装提供良好的散热能力，适合高功率高压应用。

■ 关键电气参数
RSTD8N50 的导通电阻典型值 RDS(on) = 0.7Ω（VGS=10V, ID=8A），在 500V 耐压等级下保持较低的导通电阻，有助于降低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2.0~4.0V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 约 800pF（估计），栅极电荷 Qg 约 25nC（估计），适合中高频开关应用。器件具备 dv/dt 耐用性（50V/ns）和雪崩额定值（单脉冲雪崩能量 EAS = 65mJ），确保在严苛条件下的可靠性。栅极电阻未给出。

■ 热管理与可靠性设计
RSTD8N50 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 86W，TC=100℃ 时降额至 34.4W。结到壳热阻 RθJC = 1.45℃/W，结到环境热阻 62.5℃/W（基于 1in² 铜箔）。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 UIS 测试，确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RSTD8N50 凭借 500V 耐压、8A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• AC/DC 功率转换：开关电源（SMPS）中的主开关。

• 不间断电源（UPS）：逆变器功率级。

• 适配器：大功率电源适配器中的开关管。

• 工业电源：高压工业电源模块。

瑞斯特 RSTD8N50 以 TO-252 封装提供 500V/8A 的 N 沟道高性能，为高功率高压应用提供高效、紧凑的功率开关方案。