RSTD603SM
RSTD603SM 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD603SM 是一款集成 N 沟道和 P 沟道增强型功率 MOSFET 的双芯片器件，采用 TO-252-4 封装，专为笔记本计算机、便携设备和电池供电系统的电源管理设计。N 沟道额定漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 20A（TC=25℃）；P 沟道额定漏源电压 VDS = -60V，连续漏极电流 ID = -15A（TC=25℃）。栅源电压耐受均为 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTD603SM 经过 100% UIS 和 Rg 测试，MSL 等级为 1，具备高可靠性，符合 RoHS 要求。TO-252-4 封装在一个紧凑封装中集成了两个独立 MOSFET，适合高密度电源设计。
■ 关键电气参数
N 沟道部分导通电阻典型值 RDS(on) = 19mΩ（VGS=10V, ID=10A），在 VGS=4.5V 时典型值为 23mΩ；P 沟道部分导通电阻典型值 RDS(on) = 57mΩ（VGS=-10V, ID=-8A），在 VGS=-4.5V 时典型值为 83mΩ。N 沟道栅极阈值电压典型值约 2V（范围 1.0~3.0V），P 沟道约 -1.8V。动态特性方面，N 沟道输入电容约 800pF（VDS=30V），P 沟道输入电容约 600pF（VDS=-30V）。栅极电荷 N 沟道约 10nC（VGS=10V, ID=10A），P 沟道约 12nC（VGS=-10V, ID=-8A）。开关速度适中，适合中高频开关应用。体二极管反向恢复时间 N 沟道约 25ns，P 沟道约 30ns。
■ 热管理与可靠性设计
RSTD603SM 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 20.8W（整体封装），TC=100℃ 时降额至 8.3W。结到壳热阻 RθJC = 6℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 80℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件通过 UIS 测试，N 沟道雪崩电流 IAS = 8A，雪崩能量 EAS = 16mJ（L=0.5mH）；P 沟道雪崩电流 IAS = -10A，雪崩能量 EAS = 25mJ（L=0.5mH）。建议在 PCB 布局中为封装底部的散热焊盘提供良好焊接，并注意两个通道之间的热耦合效应。
■ 典型应用场景
RSTD603SM 凭借双通道集成和均衡的电流能力，广泛适用于以下应用：
笔记本计算机电源管理：系统电源路径管理和负载开关。
便携设备电源管理：电池充放电路径控制和反向保护。
电池供电系统：双通道电源切换和反向保护电路。
DC/DC 转换器：非隔离降压转换器的主开关和同步整流。
瑞斯特 RSTD603SM 以 TO-252-4 封装提供集成化的双通道功率开关方案，是便携电源管理的高效选择。
