RSTD5N90 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计,电气性能稳定、环境适应性强, 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求,广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定,适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD5N90 是一款超超高压 N 沟道增强型功率MOSFET,采用 TO-252 封装,专为 AC/DC 功率转换、开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和适配器等超高电压应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 900V,连续漏极电流 ID = 5A(TC=25℃),脉冲电流 IDM = 15A,栅源电压耐受 ±30V。最高结温 150℃,存储温度范围 -55℃~150℃。RSTD5N90 经过 100% UIS 和 Rg 测试,具备雪崩额定值和高可靠性。TO-252 封装提供良好的散热能力,适合中等功率超超高压应用。
■ 关键电气参数
RSTD5N90 的导通电阻典型值 RDS(on) = 1Ω(VGS=10V, ID=5A),在 900V 耐压等级下保持较低的导通电阻。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2.0~4.0V(ID=250μA)。动态参数方面,输入电容 CISS 约 500pF(估计),栅极电荷 Qg 约 20nC(估计),适合中高频开关应用。器件具备 dv/dt 耐用性(50V/ns)和雪崩额定值(单脉冲雪崩能量 EAS = 41.6mJ),确保在严苛条件下的可靠性。栅极电阻未给出。
■ 热管理与可靠性设计
RSTD5N90 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 89W,TC=100℃ 时降额至 35.7W。结到壳热阻 RθJC = 1.4℃/W,结到环境热阻 62.5℃/W(基于 1in² 铜箔)。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 UIS 测试,确保在感性负载开关中的可靠性。
■ 典型应用场景
RSTD5N90 凭借 900V 耐压、5A 电流能力和雪崩额定值,广泛适用于以下应用:
AC/DC 功率转换:高压开关电源(SMPS)中的主开关。
不间断电源(UPS):高压逆变器功率级。
适配器:高压电源适配器中的开关管。
工业电源:超高压工业电源模块。
瑞斯特 RSTD5N90 以 TO-252 封装提供 900V/5A 的 N 沟道高性能,为超超高压应用提供高效、紧凑的功率开关方案。