RSTD50P02MP

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD50P02MP 是一款低电压、大电流 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装，专为电机驱动、12V 系统主开关和负载开关等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = -20V（绝对值 20V），连续漏极电流 ID = -50A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -150A，栅源电压耐受 ±10V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTD50P02MP 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备出色的鲁棒性，符合 RoHS 环保要求。TO-252 封装提供低热阻路径，适合高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTD50P02MP 的导通电阻典型值 RDS(on) = 14mΩ（VGS=-4.5V, ID=-30A），在 VGS=-2.5V 时典型值为 19mΩ，在低压驱动下仍能保持较低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值 -0.6V（范围 -0.4~-1.0V），兼容 1.8V/2.5V 低电压逻辑。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值 1250pF（VDS=-20V），输出电容 Coss 约 280pF，反向传输电容 Crss 约 190pF。栅极电荷 Qg 典型值 51nC（VGS=-10V, ID=-27A），栅源电荷 Qgs 9nC，栅漏电荷 Qgd 11nC。栅极电阻 Rg 典型值 2.5Ω。开关时间典型值：开通延迟 14ns，上升 11ns，关断延迟 77ns，下降 41ns（测试条件 VDS=-20V, ID=-1A）。

■ 热管理与可靠性设计
RSTD50P02MP 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 69W，TC=100℃ 时降额至 28W。结到壳热阻 RθJC = 1.8℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 50℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件具有雪崩耐受能力，单脉冲雪崩电流 IAS = -17.5A，雪崩能量 EAS = 15mJ（L=0.1mH），确保在感性负载开关中的可靠性。建议在 PCB 设计中为大电流路径提供足够的铜箔和散热过孔，以充分利用器件的功率能力。

■ 典型应用场景
RSTD50P02MP 凭借 -20V 耐压、-50A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 电机驱动：大功率直流无刷电机（BLDC）和有刷电机驱动。

• 12V 系统主开关：汽车电子、工业控制中的电源开关。

• 负载开关：服务器、通信设备中的高电流负载切换。

• 电池保护：高容量锂电池组的充放电保护电路。

瑞斯特 RSTD50P02MP 以 TO-252 封装提供卓越的电流能力和低导通损耗，是高功率密度系统的理想功率开关。