RSTD500N80

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD500N80 是一款高压 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用平面 DMOS 技术制造，TO-252 封装，专为高效率开关电源、电视电源、适配器/充电器、服务器电源和光伏逆变器/UPS 等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 500V，连续漏极电流 ID = 7A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 36A，栅源电压耐受 ±30V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTD500N80 具备改善的 dv/dt 能力和快速开关特性，100% EAS 保证，符合 RoHS 要求。

■ 关键电气参数
RSTD500N80 的导通电阻典型值 RDS(on) = 0.65Ω（VGS=10V, ID=4A），最大 0.8Ω，在 500V 耐压等级中表现均衡。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值 3V（范围 2~4V），兼容 5V/10V 驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值 920pF（VDS=25V），输出电容 Coss 约 103pF，反向传输电容 Crss 约 15pF。栅极电荷 Qg 典型值 28nC（VGS=10V, ID=4A），栅源电荷 Qgs 5.4nC，栅漏电荷 Qgd 10.2nC。栅极电阻 Rg 典型值 2.4Ω。开关时间典型值：开通延迟 21ns，上升 27ns，关断延迟 54ns，下降 20ns（测试条件 VDD=250V, ID=4A）。体二极管反向恢复时间 250ns，恢复电荷 1.78μC。

■ 热管理与可靠性设计
RSTD500N80 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 89W，高于 25℃ 时以 0.71W/℃ 降额。结到壳热阻 RθJC = 0.84℃/W，结到环境热阻 RθJA = 62℃/W。器件具有高雪崩耐受能力，单脉冲雪崩电流 IAS = 10.5A，雪崩能量 EAS = 550mJ（L=10mH），确保在感性负载开关中的可靠性。建议在高压应用中注意爬电距离和绝缘设计，并为散热焊盘提供足够的铜箔面积。

■ 典型应用场景
RSTD500N80 凭借 500V 耐压、7A 电流能力和优化的开关特性，广泛适用于以下应用：

• 高效率开关电源：AC/DC 转换器中的主开关和辅助电源。

• 电视电源：液晶电视电源中的功率开关。

• 适配器/充电器：笔记本、手机等充电器的电源转换级。

• 光伏逆变器/UPS：逆变器和功率因数校正（PFC）电路。

瑞斯特 RSTD500N80 以 TO-252 封装提供高耐压、低导通电阻和快速开关特性，是高压功率转换应用的可靠选择。