RSTD500N150
RSTD500N150 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD500N150 是一款采用先进超结（Super Junction）技术的高压 N 沟道增强型功率 MOSFET，TO-252 封装，专为高效率开关电源、电视电源、适配器/充电器、服务器电源和光伏逆变器/UPS 等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 500V，连续漏极电流 ID = 5A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 20A，栅源电压耐受 ±30V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTD500N150 具备改善的 dv/dt 能力、快速开关特性和 100% EAS 保证，符合 RoHS 要求。
■ 关键电气参数
RSTD500N150 的导通电阻典型值 RDS(on) = 1.1Ω（VGS=10V, ID=2A），最大 1.5Ω，在 500V 耐压等级中表现均衡。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值 3V（范围 2~4V），兼容 5V/10V 驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值 570pF（VDS=25V），输出电容 Coss 约 64pF，反向传输电容 Crss 约 8pF。栅极电荷 Qg 典型值 17nC（VGS=10V, ID=2A），栅源电荷 Qgs 3.6nC，栅漏电荷 Qgd 6.5nC。栅极电阻 Rg 典型值 2.6Ω。开关时间典型值：开通延迟 12ns，上升 15ns，关断延迟 30ns，下降 11ns（测试条件 VDD=250V, ID=2A）。体二极管反向恢复时间 217ns，恢复电荷 1.47μC。
■ 热管理与可靠性设计
RSTD500N150 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 52W，高于 25℃ 时以 0.42W/℃ 降额。结到壳热阻 RθJC = 2.4℃/W，结到环境热阻 RθJA = 62℃/W。器件具有高雪崩耐受能力，单脉冲雪崩电流 IAS = 7.5A，雪崩能量 EAS = 280mJ（L=10mH），确保在感性负载开关中的可靠性。建议在高压应用中注意爬电距离和绝缘设计，并为散热焊盘提供足够的铜箔面积。
■ 典型应用场景
RSTD500N150 凭借 500V 耐压、5A 电流能力和超结技术的优化特性，广泛适用于以下应用：
高效率开关电源：AC/DC 转换器中的主开关和辅助电源。
电视电源：液晶电视电源中的功率开关。
适配器/充电器：笔记本、手机等充电器的电源转换级。
光伏逆变器/UPS：逆变器和功率因数校正（PFC）电路。
瑞斯特 RSTD500N150 以 TO-252 封装提供高耐压和优化的开关性能，是高压功率转换应用的理想选择。
