RSTD40C80JM
RSTD40C80JM 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD40C80JM 是一款集成了 N 沟道和 P 沟道增强型功率MOSFET 的双通道器件，采用 TO-252-4 封装，专为风扇预驱动 H 桥、电机控制和同步整流等应用设计。N 沟道额定 VDS = 40V，连续电流 ID = 60A（TC=25℃）；P 沟道额定 VDS = -40V，连续电流 ID = -50A（TC=25℃）。栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。器件经过 100% UIS 测试，具备高可靠性和耐用性。TO-252-4 封装集成双通道，节省 PCB 面积，适合高密度应用。
■ 关键电气参数
N 沟道：RDS(on) = 4.2mΩ（典型，VGS=10V, ID=60A），VGS=4.5V 时典型值为 5.3mΩ。P 沟道：RDS(on) = 10mΩ（典型，VGS=-10V, ID=-50A），VGS=-4.5V 时典型值为 15mΩ。极低的导通电阻使器件在高电流下损耗极低。阈值电压 N 沟道 1.5~2.5V，P 沟道 -1.5~-2.5V。动态参数方面，N 沟道输入电容 CISS 约 800pF，P 沟道约 406pF，栅极电荷较低，适合中高频开关。栅极电阻 N 沟道约 1.5Ω，P 沟道约 8Ω。
■ 热管理与可靠性设计
RSTD40C80JM 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 32.9W（每通道），TC=100℃ 时降额至 13.2W。结到壳热阻 RθJC = 3.8℃/W，短脉冲（t≤10s）结到环境热阻 RθJA = 25℃/W，稳态 60℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 100mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的可靠性。
■ 典型应用场景
RSTD40C80JM 凭借双通道集成和高电流能力，广泛适用于以下应用：
风扇预驱动 H 桥：用于散热风扇驱动。
电机控制：小功率电机 H 桥驱动。
同步整流：在 DC-DC 转换器中同时提供高低侧开关。
负载开关：在 12V/24V 系统中实现双路电源路径管理。
瑞斯特 RSTD40C80JM 以 TO-252-4 紧凑封装提供双通道高性能，为高集成度应用提供高效、紧凑的功率开关方案。
