RSTD4012SM
RSTD4012SM 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD4012SM 是一款集成 N 沟道和 P 沟道增强型功率 MOSFET 的双芯片器件，采用 TO-252-4 封装，专为风扇预驱动 H 桥、电机控制和同步整流等应用设计。N 沟道额定漏源电压 VDS = 40V，连续漏极电流 ID = 28A（TC=25℃）；P 沟道额定漏源电压 VDS = -40V，连续漏极电流 ID = -25A（TC=25℃）。栅源电压耐受均为 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTD4012SM 经过 100% UIS 测试，具备高可靠性，符合 RoHS 要求。TO-252-4 封装在一个紧凑封装中集成了两个独立 MOSFET，适合高密度电源设计。
■ 关键电气参数
N 沟道部分导通电阻典型值 RDS(on) = 14mΩ（VGS=10V, ID=10A），在 VGS=4.5V 时典型值为 18mΩ；P 沟道部分导通电阻典型值 RDS(on) = 30mΩ（VGS=-10V, ID=-10A），在 VGS=-4.5V 时典型值为 37mΩ。N 沟道栅极阈值电压典型值约 1.8V（范围 1.0~2.5V），P 沟道约 -2V（范围 -1.5~-2.5V）。动态特性方面，N 沟道输入电容约 800pF（VDS=20V），P 沟道输入电容约 668pF（VDS=-20V）。栅极电荷 N 沟道约 15nC（VGS=10V, ID=10A），P 沟道约 15nC（VGS=-10V, ID=-10A）。开关速度适中，适合中高频开关应用。
■ 热管理与可靠性设计
RSTD4012SM 在 TC=25℃ 条件下 N 沟道最大耗散功率 PD = 32.9W，P 沟道 32.9W；在 TA=25℃ 时整体 PD 取决于散热条件。结到壳热阻 RθJC = 3.8℃/W，结到环境热阻（短脉冲 t≤10s）RθJA = 25℃/W，稳态 60℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件通过 UIS 测试，N 沟道雪崩电流 IAS = 10A，雪崩能量 EAS = 25mJ（L=0.5mH）；P 沟道雪崩电流 IAS = -10A，雪崩能量 EAS = 25mJ（L=0.5mH）。建议在 PCB 布局中为封装底部的散热焊盘提供良好焊接，并注意两个通道之间的热耦合效应。
■ 典型应用场景
RSTD4012SM 凭借双通道集成和均衡的电流能力，广泛适用于以下应用：
风扇预驱动 H 桥：散热风扇驱动中的 H 桥电路。
电机控制：中小功率有刷/无刷电机驱动。
同步整流：开关电源输出端的高效同步整流。
DC/DC 转换器：非隔离降压转换器的主开关和同步整流。
瑞斯特 RSTD4012SM 以 TO-252-4 封装提供集成化的双通道功率开关方案，是多种电源应用的理想选择。
