RSTD40100H

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD40100H 是一款高电流 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装，专为台式机电源管理、DC/DC 转换器等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 40V，连续漏极电流 ID = 100A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 300A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 175℃（更高温度等级），存储温度范围 -55℃~175℃。RSTD40100H 经过 100% UIS 和 Rg 测试，MSL 等级为 1，具备高可靠性，符合 RoHS 要求。TO-252 封装提供良好的散热能力，适合高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTD40100H 的导通电阻典型值 RDS(on) = 3.5mΩ（VGS=10V, ID=20A），在 40V 耐压等级中表现优异。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值约 3V（范围 2~4V），兼容 5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值 4204pF（VDS=20V），输出电容 Coss 约 336pF，反向传输电容 Crss 约 251pF。栅极电荷 Qg 典型值 15nC（VGS=10V, ID=20A），栅源电荷 Qgs 3.2nC，栅漏电荷 Qgd 1.9nC。栅极电阻 Rg 典型值 1.5Ω。开关时间典型值：开通延迟 11.3ns，上升 8.2ns，关断延迟 22.6ns，下降 15.4ns（测试条件 VDD=20V, ID=1A）。体二极管反向恢复时间约 18.3ns，恢复电荷约 6.4nC。

■ 热管理与可靠性设计
RSTD40100H 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 50W，TC=100℃ 时降额至 23.5W；在 TA=25℃ 时（表面贴装）为 2.5W。结到壳热阻 RθJC = 3.2℃/W，结到环境热阻（短脉冲 t≤10s）RθJA = 25℃/W，稳态 60℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件通过 UIS 测试，单脉冲雪崩电流 IAS = 46A，雪崩能量 EAS = 106mJ（L=0.1mH），确保在感性负载开关中的可靠性。建议在 PCB 布局中为漏极焊盘提供足够的铜箔面积，并注意热管理设计以降低结温。

■ 典型应用场景
RSTD40100H 凭借 40V 耐压、100A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 台式机电源管理：CPU 供电模块中的同步整流和负载开关。

• DC/DC 转换器：高功率密度降压转换器的主开关。

• 电机驱动：大功率有刷/无刷电机控制。

• 电池保护：多节锂电池组的前端保护电路。

瑞斯特 RSTD40100H 以 TO-252 封装提供高效、紧凑的功率开关方案，是多种电源应用的理想选择。