RSTD30P50

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD30P50 是一款低压 P 沟道增强型功率MOSFET，采用 TO-252-2 封装，专为台式机电源管理、DC/DC 转换器等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = -30V，连续漏极电流 ID = -20A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -60A，栅源电压耐受 ±25V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTD30P50 经过 100% UIS 和 Rg 测试，MSL1 等级，具备高可靠性和耐用性。TO-252-2 封装提供良好的散热能力，适合中等功率低压应用。

■ 关键电气参数
RSTD30P50 的导通电阻典型值 RDS(on) = 50mΩ（VGS=-10V, ID=-20A），最大 55mΩ；VGS=-4.5V 时典型值为 60mΩ，最大 65mΩ。低压驱动下的低导通电阻使其在 4.5V~10V 逻辑电平下均能高效工作。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -1.5~-2.5V（ID=-250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 700pF，输出电容 COSS 约 110pF，反向传输电容 CRSS 约 50pF（VDS=-15V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 21nC（VGS=-10V），米勒电荷 Qgd 约 6.2nC，适合中高频开关。栅极电阻典型值 3Ω。

■ 热管理与可靠性设计
RSTD30P50 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 50W，TC=100℃ 时降额至 20W。结到壳热阻 RθJC = 2.5℃/W，短脉冲（t≤10s）结到环境热阻 RθJA = 20℃/W，稳态 50℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 60mJ（L=0.3mH），确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RSTD30P50 凭借 -30V 耐压、-20A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 台式机电源管理：用于主板电源路径切换。

• DC/DC 转换器：低压侧开关或同步整流管。

• 负载开关：在 12V 系统中实现低损耗电源路径管理。

• 电池管理：电池隔离开关，支持低损耗。

瑞斯特 RSTD30P50 以 TO-252-2 封装提供 -30V/-20A 的 P 沟道高性能，为低压中等功率应用提供高效、紧凑的功率开关方案。