RSTD30P035SJ

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD30P035SJ 是一款低压超高电流 P 沟道增强型功率MOSFET，采用 TO-252-2 封装，专为 LCD TV 逆变器等大功率应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = -30V，连续漏极电流 ID = -95A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -285A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTD30P035SJ 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性。TO-252-2 封装提供优异的散热能力，适合超高功率应用。

■ 关键电气参数
RSTD30P035SJ 的导通电阻典型值 RDS(on) = 3.5mΩ（VGS=-10V, ID=-25A），最大 4.5mΩ；VGS=-4.5V 时典型值为 6mΩ，最大 8mΩ。极低的导通电阻使其在超高电流下损耗极低。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -1.0~-2.5V（ID=-250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 2755pF，输出电容 COSS 约 550pF，反向传输电容 CRSS 约 518pF（VDS=-15V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 70nC（VGS=-10V），米勒电荷 Qgd 约 18nC，适合中高频大电流开关。栅极电阻典型值 2Ω。

■ 热管理与可靠性设计
RSTD30P035SJ 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 78W，TC=100℃ 时降额至 31W。结到壳热阻 RθJC = 1.6℃/W，短脉冲（t≤10s）结到环境热阻 RθJA = 20℃/W，稳态 55℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 88mJ（L=0.1mH），确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RSTD30P035SJ 凭借 -30V 耐压、-95A 电流能力和超低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• LCD TV 逆变器：用于背光驱动功率级。

• 高电流 DC-DC 转换器：服务器电源模块。

• 电机驱动：大功率无刷电机控制。

• 电池保护：高电流充放电保护。

瑞斯特 RSTD30P035SJ 以 TO-252-2 封装提供 -30V/-95A 的 P 沟道高性能，为超高功率应用提供极低损耗的功率开关方案。