RSTD2N60 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计,电气性能稳定、环境适应性强, 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求,广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定,适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD2N60 是一款高压 N 沟道增强型功率MOSFET,采用 TO-252 封装,专为 AC/DC 功率转换、开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和适配器等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 600V,连续漏极电流 ID = 2A(TC=25℃),脉冲电流 IDM = 6A,栅源电压耐受 ±30V。最高结温 150℃,存储温度范围 -55℃~150℃。RSTD2N60 经过 100% UIS 和 Rg 测试,具备高可靠性和耐用性。TO-252 封装提供良好的散热能力,适合小功率高压应用。
■ 关键电气参数
RSTD2N60 的导通电阻典型值 RDS(on) = 3.2Ω(VGS=10V, ID=1A),最大 4.2Ω。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2.0~4.0V(ID=250μA)。动态参数方面,输入电容 CISS 典型值 370pF,输出电容 COSS 约 19pF,反向传输电容 CRSS 约 14pF(VDS=325V, f=1MHz),极低的电容有助于提高开关速度。栅极电荷 Qg 典型值 7.6nC(VGS=10V),米勒电荷 Qgd 约 2.1nC,适合高频开关应用。栅极电阻典型值 2Ω。
■ 热管理与可靠性设计
RSTD2N60 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 83W,TC=100℃ 时降额至 33W。结到壳热阻 RθJC = 1.5℃/W,结到环境热阻 50℃/W(基于 1in² 铜箔)。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 UIS 测试,确保在感性负载开关中的可靠性。
■ 典型应用场景
RSTD2N60 凭借 600V 耐压、2A 电流能力和低导通电阻,广泛适用于以下应用:
AC/DC 功率转换:小功率开关电源(SMPS)中的主开关。
不间断电源(UPS):辅助电源开关。
适配器:小功率电源适配器中的开关管。
LED 驱动:小功率 LED 恒流驱动。
瑞斯特 RSTD2N60 以 TO-252 封装提供 600V/2A 的 N 沟道高性能,为小功率高压应用提供高效、紧凑的功率开关方案。