RSTD20P10

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD20P10 是一款高压大电流 P 沟道增强型功率MOSFET，采用 TO-252-2 封装，专为工业 DC/DC 转换器等电源管理应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = -100V，连续漏极电流 ID = -18A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -72A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTD20P10 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性。TO-252-2 封装提供良好的散热能力，适合中等功率高压应用。

■ 关键电气参数
RSTD20P10 的导通电阻典型值 RDS(on) = 80mΩ（VGS=-10V, ID=-18A），VGS=-4.5V 时典型值为 88mΩ。低压驱动下的低导通电阻使其在 4.5V~10V 逻辑电平下均能高效工作。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -2.0~-4.0V（ID=-250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 约 1000pF（估计），栅极电荷 Qg 约 30nC（估计），适合中高频开关。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 49mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的可靠性。栅极电阻未给出。

■ 热管理与可靠性设计
RSTD20P10 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 54W，TC=100℃ 时降额至 21.7W。结到壳热阻 RθJC = 2.3℃/W，结到环境热阻 50℃/W（基于 1in² 铜箔）。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 UIS 测试，确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RSTD20P10 凭借 -100V 耐压、-18A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 工业 DC/DC 转换器：高压侧开关或同步整流管。

• 电源管理：高压负载开关。

• 电池管理：高压电池隔离开关。

• 电机驱动：中高压电机控制。

瑞斯特 RSTD20P10 以 TO-252-2 封装提供 -100V/-18A 的 P 沟道高性能，为高压应用提供高效、紧凑的功率开关方案。