RSTD18N20

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD18N20 是一款高压大电流 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 TO-252-2 封装，专为 TV 逆变器等电源管理应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 200V，连续漏极电流 ID = 18A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 54A，栅源电压耐受 ±25V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTD18N20 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性。TO-252-2 封装提供良好的散热能力，适合中等功率高压应用。

■ 关键电气参数
RSTD18N20 的导通电阻典型值 RDS(on) = 140mΩ（VGS=10V, ID=18A），在 200V 耐压等级下保持较低的导通电阻，有助于降低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2.0~4.0V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 约 600pF（估计），栅极电荷 Qg 约 25nC（估计），适合中高频开关。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 49mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的可靠性。栅极电阻未给出。

■ 热管理与可靠性设计
RSTD18N20 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 78W，TC=100℃ 时降额至 31W。结到壳热阻 RθJC = 1.6℃/W，结到环境热阻 50℃/W（基于 1in² 铜箔）。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 UIS 测试，确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RSTD18N20 凭借 200V 耐压、18A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• TV 逆变器：用于电视电源转换。

• DC-DC 转换器：高压母线转换中的主开关。

• 电机驱动：中高压电机控制。

• LED 驱动：高压 LED 恒流控制。

瑞斯特 RSTD18N20 以 TO-252-2 封装提供 200V/18A 的 N 沟道高性能，为高压应用提供高效、紧凑的功率开关方案。